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    AU3PJ-M3/86A【斯普仑】ATJ2113F热销(2023/老板推荐|)(2023/搜索引擎优选)
    发布时间:2023-03-31 01:17:50

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宽禁带半导体器件研发难度更大。总体而言,碳化硅比氮化镓的挑战更多,衬底、外延、器件等良率和质量都有待进一步提高。氮化镓衬底上不存在问题(主要采用现成的高质量硅衬底),挑战主要在器件制造、外延等领域。Tsjesmc提问面对2022年,国内厂商该如何应对?Tsjesmc李国强:中国功率分立器件产业已经发展到比较高水平阶段。

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比较典型有:华润微电子近也发布了碳化硅MOSFET的建厂计划,以及重庆12英寸功率分立器件生产线建设;捷捷微电发力车规级功率半导体封测;扬州扬杰也从二极管整流桥等产品拓展到了MOSFET和IGBT领域;士兰微在厦门投资建设新的功率分立器件产线,扩充产能、发展第三代半导体;吉林华微的12英寸项目也在积极谋划中。

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