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随着铜原子不断扩散至电介质，后者的绝缘性会降低并产生阻挡铜原子继续扩散的阻挡层。之后阻挡层上会形成很薄的铜种子层。到这一步之后就可以进行电镀，也就是用铜填充高深宽比的图形。填充后多余的铜可以用金属化学机械抛光 （CMP） 方法去除，完成后即可沉积氧化膜，多余的膜则用光刻和刻蚀工艺去除即可。前述整个过程需要不断重复直至完成铜互连为止。

测试的主要目标是检验半导体芯片的质量是否达到一定标准，从而消除不良产品、并提高芯片的可靠性。另外，经测试有缺陷的产品不会进入封装步骤，有助于节省成本和时间。电子管芯分选 （EDS） 就是一种针对晶圆的测试方法。

STM32F107VCT6是主流互连型ARMCortex-MMCU，IC3位单核，72MHz256KB（256Kx闪存、以太网MAC、CAN和USB2.OTG数据手册：STM32F107VCT6在线购买：STM32F107VCT6STM32F107VCT6描述意法半导体的STM32F1系列主流MCU满足了工业、医疗和消费类市场的各种应用需求。

5个USARTs。一个USBOTGFS和两个can。以太网只能在STM32F107VCT6上使用。STM32F107VCT6连通性线族可在-40，105℃的温度范围内工作，2.0，3.V电源。一套全面的节电模式，允许设计低功耗应用。STM32F107VCT6连接线族提供了三种不同的封装类型的设备:从64引脚到100引脚。一个USB和一个CAN。设备使用2.0，3.V电源供电。它们可用于-40到+85°C的温度范围和-40到+105°C扩展温度范围。一套全面的节电模式，允许设计低功耗应用。STM32F103RBT6中密度性能线系列包括六种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。根据所选择的设备。